1000亿美元投资，美光宣布纽约州克莱DRAM内存晶圆厂1月16日动工

1000亿美元投资，美光宣布纽约州克莱DRAM内存晶圆厂1月16日动工快讯

IT之家 2026-01-08 10:50

分享到：

导读

Micron 美光宣布其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型 DRAM 内存晶圆厂集群项目将于当地时间 2026 年 1 月 16 日正式动工，这一集群总投资 1000 亿美元（注，完工后将形成全世界最先进的内存制造基地。

1 月 8 日消息，Micron 美光宣布其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型 DRAM 内存晶圆厂集群项目将于当地时间 2026 年 1 月 16 日正式动工。

这一集群总投资 1000 亿美元（注：现汇率约合 7002.6 亿元人民币），将成为纽约州有史以来规模最大的一项单笔私人投资，完工后将形成全世界最先进的内存制造基地。（溯波）

纽约州内存集群美国世界

分享到：

1.TMT观察网遵循行业规范，任何转载的稿件都会明确标注作者和来源；
2.TMT观察网的原创文章，请转载时务必注明文章作者和"来源：TMT观察网"，不尊重原创的行为TMT观察网或将追究责任；
3.作者投稿可能会经TMT观察网编辑修改或补充。