11月14日消息 综合之前的国内外媒体爆料消息，高通的下一代旗舰芯片骁龙855将命名为“骁龙8150”。将采用台积电的7nm FinFET工艺制造，另外，该芯片将加入独立NPU，在AI方面将迎来大幅度的提升，而不是目前的“AIE”。

现在，在geekbench数据库里，出现了一款“QUALCOMM msmnile for arm64”跑分数据，这很有可能是骁龙8150的跑分数据，具体来看，相比上一代旗舰骁龙845，无论是单核还是多核，骁龙8150又迎来了巨大的提升。

骁龙8150的单核心3200+分，多核心破万，达到了11000+，作为对比，骁龙845的平均单核心跑分为2500左右，多核心为8900左右。

“骁龙8150”还将采用与华为麒麟980类似的三簇CPU核心集群设计，也就是说，这枚芯片拥有2个超大核，两个大核心和4个小核心，骁龙8150有望最早今年12月位于夏威夷的年度峰会上亮相。