中芯国际将在年底前启动12nm FinFET工艺试产快报
快科技
2019-11-14 18:03
导读
中芯国际(SMIC)已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产,12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,第一代FinFET已成功量产。
有媒体援引知情人士的话称,中芯国际(SMIC)已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产,且计划年底前进行12nm FinFET的风险试产。

本周发布Q3季度财报时,中芯对于先进制程的口径是:第一代FinFET已成功量产,四季度将贡献有意义的营收;第二代FinFET研发稳步推进,客户导入进展顺利。
12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%。
在第三季度,中芯国际营收8.165亿美元,同比增长4%,环比下滑3.2%,净利润8462.6万美元,相比去年同期的759.1万美元大涨了1014%。
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